T2G6001528-SG

T2G6001528-SG
Mfr. #:
T2G6001528-SG
メーカー:
Qorvo
説明:
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
T2G6001528-SG データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
T2G6001528-SG 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー:
カーボ
製品カテゴリ:
RFJFETトランジスタ
JBoss:
Y
トランジスタタイプ:
HEMT
テクノロジー:
GaN SiC
利得:
15 dB
トランジスタの極性:
Nチャネル
Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧:
100 V
Id-連続ドレイン電流:
5 A
出力電力:
17 W
Pd-消費電力:
28 W
取り付けスタイル:
SMD / SMT
包装:
トレイ
構成:
独身
動作周波数:
6 GHz
シリーズ:
T2G
ブランド:
カーボ
感湿性:
はい
製品タイプ:
RFJFETトランジスタ
ファクトリーパックの数量:
100
サブカテゴリ:
トランジスタ
パーツ番号エイリアス:
1113256
Tags
T2G6001528-S, T2G6001, T2G6, T2G
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC- 6 GHz, 15 W, 15 dB, 28 V, GaN
*** Services
CoC and 2-years warranty / RFQ for pricing
T2G GaN HEMT Transistors
QorvoT2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete GaN on SiC HEMT which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
モデル メーカー 説明 ストック 価格
T2G6001528-SG
DISTI # 772-T2G6001528-SG
QorvoRF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
RoHS: Compliant
65
  • 1:$105.7500
  • 25:$95.4400
T2G6001528-SG-EVB
DISTI # 772-T2G6001528SGEVB
QorvoRF Development Tools
RoHS: Compliant
0
  • 1:$875.0000
画像 モデル 説明
HMC1119LP4ME

Mfr.#: HMC1119LP4ME

OMO.#: OMO-HMC1119LP4ME

Attenuators 7-bit 0.1-6Ghz DATT
GRF5115

Mfr.#: GRF5115

OMO.#: OMO-GRF5115

RF Amplifier .1-2.7GHz GaAs Gain 14.4dB
GRF2105

Mfr.#: GRF2105

OMO.#: OMO-GRF2105

RF Amplifier .4-5GHz NF .77dB OP1dB 22.5dBm
ADRF6520ACPZ

Mfr.#: ADRF6520ACPZ

OMO.#: OMO-ADRF6520ACPZ

RF Amplifier E-Band/V-Band Baseband Prog Filters & VG
LTC5562IUC#TRMPBF

Mfr.#: LTC5562IUC#TRMPBF

OMO.#: OMO-LTC5562IUC-TRMPBF

RF Mixer LF-7GHz Low-Power, Wideband Active Mixer
SKY16601-555LF

Mfr.#: SKY16601-555LF

OMO.#: OMO-SKY16601-555LF

PIN Diodes .5-6.0GHz IL .1dB RL 27.5dB Pin 29dBm
CGHV40200PP

Mfr.#: CGHV40200PP

OMO.#: OMO-CGHV40200PP

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
TPS27S100BPWPR

Mfr.#: TPS27S100BPWPR

OMO.#: OMO-TPS27S100BPWPR

Power Switch ICs - Power Distribution PRODUCT SPIN OF TPS1H100B
ADP7158ACPZ-3.3-R7

Mfr.#: ADP7158ACPZ-3.3-R7

OMO.#: OMO-ADP7158ACPZ-3-3-R7

LDO Voltage Regulators 3.3/5Vin 2A Ultra Low Noise LDO Fixed
TPS27S100BPWPR

Mfr.#: TPS27S100BPWPR

OMO.#: OMO-TPS27S100BPWPR-TEXAS-INSTRUMENTS

PRODUCT SPIN OF TPS1H100B
可用性
ストック:
146
注文中:
2129
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参考価格(USD)
単価
小計金額
1
$105.75
$105.75
25
$95.44
$2 386.00
100
$86.13
$8 613.00
皮切りに
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