ZXMN6A09DN8TC

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

5.1 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

40 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.25 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

タイプ：

MOSFET

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

25.3 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.9 ns

単位重量：

0.002610 oz

Tags

ZXMN6A09DN8T, ZXMN6A09D, ZXMN6A09, ZXMN6A0, ZXMN6A, ZXMN6, ZXMN, ZXM