IPI086N10N3 G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-262-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

80 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

8.2 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

125 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

OptiMOS

包装：

チューブ

高さ：

9.45 mm

長さ：

10.2 mm

シリーズ：

OptiMOS 3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.5 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

42 ns

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

31 ns

典型的なターンオン遅延時間：

18 ns

パーツ番号エイリアス：

IPI086N10N3GXKSA1 IPI86N1N3GXK SP000683070

単位重量：

0.073511 oz

Tags

IPI086N10N3G, IPI086N10N3, IPI086, IPI08, IPI0, IPI