IPN70R750P7SATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

700 V

Id-連続ドレイン電流：

6.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

620 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

16 V

Qg-ゲートチャージ：

8.3 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

6.7 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

27 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

60 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

パーツ番号エイリアス：

IPN70R750P7S SP001664912

Tags

IPN70, IPN7, IPN