SI4477DY-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

26.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.2 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

600 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

125 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

6.6 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

シリーズ：

SI4

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

3.9 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

10 S

立ち下がり時間：

42 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

42 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

100 ns

典型的なターンオン遅延時間：

42 ns

パーツ番号エイリアス：

SI4477DY-GE3

単位重量：

0.006596 oz

Tags

SI4477, SI447, SI44, SI4