2SA2127-AE

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.2 V

最大DCコレクタ電流：

- 4 A

ゲイン帯域幅積fT：

420 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SA2127

DC電流ゲインhFEMax：

560 at - 100 mA, - 2 V

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200 at - 100 mA, - 2 V

Pd-消費電力：

1 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SA2127, 2SA212, 2SA21, 2SA2, 2SA