IXTY08N100D2

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1 kV

Id-連続ドレイン電流：

800 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

21 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

14.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

60 W

構成：

独身

チャネルモード：

枯渇

包装：

チューブ

シリーズ：

IXTY08N100

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

330 mS

立ち下がり時間：

48 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

57 ns

ファクトリーパックの数量：

70

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

34 ns

典型的なターンオン遅延時間：

28 ns

単位重量：

0.081130 oz

Tags

IXTY08N100D, IXTY08N10, IXTY08N1, IXTY08, IXTY0, IXTY, IXT