NJV4030PT3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-4

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

40 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

40 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

150 mV

最大DCコレクタ電流：

5 A

ゲイン帯域幅積fT：

160 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

NJT4030P

DC電流ゲインhFEMax：

400 at 1 A, 1 VDC

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

3 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200 at 1 A, 1 VDC

Pd-消費電力：

2 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NJV4030P, NJV4030, NJV40, NJV4, NJV