ALD1115SAL

製品属性

属性値

メーカー：

高度な線形デバイス

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

10 V

Id-連続ドレイン電流：

4.8 mA, 2 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

350 Ohms, 1.2 kOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10.6 V

最低動作温度：

0 C

最高作動温度：

+ 70 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

ALD1115S

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

ブランド：

高度な線形デバイス

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.002998 oz

Tags

ALD1115, ALD111, ALD11, ALD1, ALD