2SD1768STPQ

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

100 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

最大DCコレクタ電流：

1 A

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

120 at 500 mA, 3 V

高さ：

3 mm

長さ：

4 mm

包装：

弾薬パック

幅：

2 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

1 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

300 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SD1768, 2SD176, 2SD17, 2SD1, 2SD