IRF1018ESLPBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-262-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

79 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

8.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

46 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

110 W

構成：

独身

包装：

チューブ

高さ：

9.45 mm

長さ：

10.2 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.5 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

110 S

立ち下がり時間：

46 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

35 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

55 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001550908

単位重量：

0.073511 oz

Tags

IRF1018ES, IRF1018, IRF101, IRF10, IRF1, IRF