NTD5865N-1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

38 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

14 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

23 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

52 W

構成：

独身

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6.9 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

75

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.139332 oz

Tags

NTD5865, NTD586, NTD58, NTD5, NTD