MUN5231DW1T1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

デュアル

トランジスタの極性：

NPN

一般的な入力抵抗：

2.2 kOhms

典型的な抵抗比：

1

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

8

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

0.1 A

ピークDCコレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

187 mW

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MUN5231DW1

包装：

リール

DC電流ゲインhFEMax：

8 at 5 mA at 10 V

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

幅：

1.25 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000265 oz

Tags

MUN5231, MUN523, MUN52, MUN5, MUN