FDB024N04AL7

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-7

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

219 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

84 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

214 W

構成：

独身

商標名：

PowerTrench

包装：

リール

高さ：

4.7 mm

長さ：

10.2 mm

シリーズ：

FDB024N04AL7

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

9.4 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

368 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.046279 oz

Tags

FDB024, FDB02, FDB0, FDB