NTJD2152PT4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

8 V

Id-連続ドレイン電流：

775 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

510 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

270 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

1.25 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2 S

立ち下がり時間：

23 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

23 ns

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

50 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns

単位重量：

0.000265 oz

Tags

NTJD2152PT, NTJD2152, NTJD2, NTJD, NTJ