FJN3312RTA

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

独身

トランジスタの極性：

NPN

一般的な入力抵抗：

47 kOhms

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3 Kinked Lead

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

40 V

連続コレクタ電流：

0.1 A

ピークDCコレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

300 mW

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

弾薬パック

DC電流ゲインhFEMax：

600

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

高さ：

5.33 mm

長さ：

5.2 mm

タイプ：

NPNエピタキシャルシリコントランジスタ

幅：

4.19 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.010088 oz

Tags

FJN331, FJN33, FJN3, FJN