DMT10H015LSS-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

8.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

16 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

33.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.2 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.5 mm

長さ：

4.95 mm

シリーズ：

DMT10

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.95 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

8.1 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

19.7 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.5 ns

単位重量：

0.002610 oz

Tags

DMT10H015L, DMT10H015, DMT10H01, DMT10H0, DMT10, DMT1, DMT