ZVN4525E6TA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-26-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

250 V

Id-連続ドレイン電流：

230 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

8.5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

2.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.3 mm

長さ：

3.1 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

ZVN4525

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

FET

幅：

1.8 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.3 S

立ち下がり時間：

3.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.7 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

11.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

1.25 ns

単位重量：

0.000529 oz

Tags

ZVN4525E6TA, ZVN4525E6T, ZVN4525E, ZVN4525, ZVN45, ZVN4, ZVN