NP1100SAT3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

サイリスタサージ保護デバイス（TSPD）

JBoss：

Y

ブレークオーバー電圧VBO：

130 V

非反復オン状態電流：

150 A

定格反復オフ状態電圧VDRM：

90 V

オフステートリーク電流@VDRM IDRM：

5 uA

現在のIhMaxの保持：

250 mA

オン状態電圧：

4 V

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DO-214AA-2

包装：

リール

現在の評価：

2.2 A

ブランド：

オン・セミコンダクター

製品タイプ：

TSPD

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

サイリスタ

単位重量：

0.006349 oz

Tags

NP1100, NP110, NP11, NP1