IXTH150N15X4

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

Id-連続ドレイン電流：

150 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7.2 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

105 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

480 W

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

シリーズ：

X4-Class

ブランド：

IXYS

立ち下がり時間：

6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

60 ns

典型的なターンオン遅延時間：

23 ns

Tags

IXTH150, IXTH15, IXTH1, IXTH, IXT