Jan2N930/TR

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-72-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

15 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

30 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

3 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.4 V

最大DCコレクタ電流：

50 mA

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

DC電流ゲインhFEMax：

200 at 3 mA, 1 V

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100 at 10 uA, 5 V

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

Jan2N9, Jan2N, Jan2, JAN