STS8DN6LF6AG

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

21 mOhms, 21 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

27 nC, 27 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

3.2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

商標名：

STripFET

シリーズ：

STS8DN6LF6AG

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

7 ns, 7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

20 ns, 20 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

56 ns, 56 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9.6 ns, 9.6 ns

Tags

STS8D, STS8, STS