IXXN110N65B4H1

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

SOT-227

取り付けスタイル：

SMD / SMT

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

650 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.1 V

最大ゲートエミッタ電圧：

30 V

25℃での連続コレクタ電流：

215 A

Pd-消費電力：

750 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

IXXN110N65

包装：

チューブ

連続コレクタ電流IcMax：

110 A

ブランド：

IXYS

ゲートエミッタリーク電流：

100 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

IGBT

商標名：

XPT

単位重量：

1.058219 oz

Tags

IXXN1, IXXN, IXX