NJW44H11G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3P-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

-

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1 V

最大DCコレクタ電流：

20 A

ゲイン帯域幅積fT：

85 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

NJW44H11

DC電流ゲインhFEMax：

320

包装：

チューブ

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

10 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

80

Pd-消費電力：

120 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.194007 oz

Tags

NJW4, NJW