GA10SICP12-263

製品属性

属性値

メーカー：

GeneSiC半導体

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-7

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.2 kV

Id-連続ドレイン電流：

25 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

100 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

55 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

170 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

4.597 mm

長さ：

10.668 mm

タイプ：

トランジスタ/ショットキーダイオードコパック

幅：

9.169 mm

ブランド：

GeneSiC半導体

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.056438 oz

Tags

GA10S, GA10, GA1