SCTW90N65G2V

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

HIP247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

90 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

25 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.9 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V to 22 V

Qg-ゲートチャージ：

157 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 200 C

Pd-消費電力：

390 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

シリーズ：

SCTW90N

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

16 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

38 ns

ファクトリーパックの数量：

600

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

58 ns

典型的なターンオン遅延時間：

26 ns

Tags

SCTW, SCT