APTM50H15FT1G

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

JBoss：

Y

製品：

パワーMOSFETモジュール

タイプ：

フルブリッジ

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

SP1-12

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 100 C

包装：

チューブ

構成：

クワッド

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

トランジスタの極性：

Nチャネル

立ち下がり時間：

26 ns

Id-連続ドレイン電流：

25 A

Pd-消費電力：

208 W

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

130 mOhms

立ち上がり時間：

35 ns

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

典型的なターンオフ遅延時間：

80 ns

典型的なターンオン遅延時間：

29 ns

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

単位重量：

2.821917 oz

Tags

APTM50H1, APTM50H, APTM5, APTM, APT