BLF378

製品属性

属性値

メーカー：

Advanced Semiconductor、Inc。

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

18 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

125 V

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

300 mOhms

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-262A

包装：

トレイ

構成：

独身

動作周波数：

225 MHz

ブランド：

Advanced Semiconductor、Inc。

Pd-消費電力：

500 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

7 V

単位重量：

0.001058 oz

Tags

BLF3, BLF