NVMFD5877NLWFT3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-5x6-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

17 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

31 mOhms, 31 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

20 nC, 20 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

23 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

NVMFD5877NL

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

7 S, 7 S

立ち下がり時間：

2.4 ns, 2.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6.4 ns, 6.4 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14.5 ns, 14.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.9 ns, 4.9 ns

Tags

NVMFD5877, NVMFD587, NVMFD58, NVMFD, NVMF, NVM