BSZ086P03NS3EGATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSDSON-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

40 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

57.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

69 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

3.3 mm

シリーズ：

BSZ086P03

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

3.3 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

30 S

立ち下がり時間：

8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

46 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

35 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

パーツ番号エイリアス：

BSZ086P03NS3E BSZ86P3NS3EGXT G SP000473016

Tags

BSZ086P03NS3E, BSZ086P03NS, BSZ086, BSZ08, BSZ0, BSZ