ZXMHC6A07N8TC

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

4 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

1.8 A, 1.42 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

250 mOhms, 400 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

3.2 nC, 5.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

0.87 W

構成：

クワッド

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

ZXMHC6

トランジスタタイプ：

2 N-Channel, 2 P-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.3 S, 1.8 S

立ち下がり時間：

2 ns, 5.8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.4 ns, 2.3 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

4.9 ns, 13 ns

典型的なターンオン遅延時間：

1.8 ns, 1.6 ns

単位重量：

0.002610 oz

Tags

ZXMHC6, ZXMHC, ZXMH, ZXM