SH8J31GZETB

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOP-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

4.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

50 mOhms, 50 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

40 nC, 40 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6.5 S, 6.5 S

立ち下がり時間：

40 ns, 40 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

18 ns, 18 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

100 ns, 100 ns

典型的なターンオン遅延時間：

17 ns, 17 ns

パーツ番号エイリアス：

SH8J31

Tags

SH8J, SH8