MRF151GB

製品属性

属性値

メーカー：

Advanced Semiconductor、Inc。

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

40 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

125 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-262A

包装：

トレイ

構成：

デュアル

動作周波数：

175 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

Advanced Semiconductor、Inc。

Pd-消費電力：

500 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

40 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

単位重量：

0.001058 oz

Tags

MRF151G, MRF151, MRF15, MRF1, MRF