APT17F100B

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1 kV

Id-連続ドレイン電流：

17 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

670 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

150 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

625 W

チャネルモード：

強化

商標名：

POWER MOS 8

包装：

チューブ

高さ：

5.31 mm

長さ：

21.46 mm

幅：

16.26 mm

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

19 S

立ち下がり時間：

28 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

31 ns

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

105 ns

典型的なターンオン遅延時間：

29 ns

単位重量：

1.340411 oz

Tags

APT17F, APT17, APT1, APT