BC847PNQ-7-F

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

トランジスタの極性：

NPN、PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

45 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

600 mV

ゲイン帯域幅積fT：

300 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

450

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000265 oz

Tags

BC847PN, BC847P, BC847, BC84, BC8