FMB200

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SSOT-6

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

45 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.4 V

最大DCコレクタ電流：

0.5 A

ゲイン帯域幅積fT：

300 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

FMB200

DC電流ゲインhFEMax：

450

高さ：

1 mm

長さ：

3 mm

包装：

リール

幅：

1.7 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

0.5 A

Pd-消費電力：

700 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.001270 oz

Tags

FMB200, FMB20, FMB2, FMB