IXKN75N60C

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

シャーシマウント

パッケージ/ケース：

SOT-227-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

75 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

30 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.9 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

500 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

COOLMOS

包装：

チューブ

高さ：

12.22 mm

長さ：

38.23 mm

シリーズ：

IXKN75N60

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

CoolMOSパワーMOSFET

幅：

25.42 mm

ブランド：

IXYS

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

30 ns

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

110 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns

単位重量：

1.058219 oz

Tags

IXKN, IXK