BSH105,215

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

1.05 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

200 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

3.9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

417 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

3 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 N-Channel MOS Transistor

幅：

1.4 mm

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

20 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4.5 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

45 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2 ns

パーツ番号エイリアス：

BSH105 T/R

単位重量：

0.000282 oz

Tags

BSH105,2, BSH105, BSH10, BSH1, BSH