CSD19533Q5AT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

VSONP-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

9.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

27 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

96 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

6 mm

シリーズ：

CSD19533Q5A

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.9 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

63 S

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

16 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns

Tags

CSD19533Q, CSD19533, CSD1953, CSD19, CSD1, CSD