UMT18NTR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 12 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 15 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 100 mV

最大DCコレクタ電流：

0.5 A

ゲイン帯域幅積fT：

260 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

680

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

包装：

リール

幅：

1.25 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 500 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

270

Pd-消費電力：

150 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

UMT18N

Tags

UMT18NT, UMT18N, UMT18, UMT1, UMT