ZXTN5551ZTA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-89-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

160 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

180 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

最大DCコレクタ電流：

0.6 A

ゲイン帯域幅積fT：

130 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

ZXTN555

DC電流ゲインhFEMax：

80 at 1 mA, 5 V

高さ：

1.6 mm

長さ：

4.6 mm

包装：

リール

幅：

2.6 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V

Pd-消費電力：

1200 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.001834 oz

Tags

ZXTN5, ZXTN, ZXT