Jan2N5582/TR

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-46-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

75 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1 V

最大DCコレクタ電流：

800 mA

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 200 C

DC電流ゲインhFEMax：

300 at 150 mA, 10 V

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30 at 500 mA, 10 V

Pd-消費電力：

500 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

Jan2N55, Jan2N5, Jan2N, Jan2, JAN