2SB1201S-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-251-3

トランジスタの極性：

NPN、PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

150 mV, - 300 mV

最大DCコレクタ電流：

4 A, - 4 A

ゲイン帯域幅積fT：

150 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SB1201

包装：

バルク

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

2 A

Pd-消費電力：

800 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.139332 oz

Tags

2SB1201S, 2SB1201, 2SB120, 2SB12, 2SB1, 2SB