IMB10AT110

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

デュアル

トランジスタの極性：

PNP

一般的な入力抵抗：

2.2 kOhms

典型的な抵抗比：

0.048

取り付けスタイル：

SMD / SMT

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

80

連続コレクタ電流：

- 100 mA

ピークDCコレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

300 mW

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

IMB10A

包装：

リール

DC電流ゲインhFEMax：

80

高さ：

1.1 mm

長さ：

2.9 mm

幅：

1.6 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

IMB10A

Tags

IMB10AT, IMB10A, IMB10, IMB1, IMB