STGWT40H65DFB

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-3P

取り付けスタイル：

スルーホール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

650 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.6 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

80 A

Pd-消費電力：

283 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

シリーズ：

STGWT40H65DFB

包装：

チューブ

連続コレクタ電流IcMax：

40 A

ブランド：

STMicroelectronics

ゲートエミッタリーク電流：

250 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

300

サブカテゴリ：

IGBT

単位重量：

0.238311 oz

Tags

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