HGTG11N120CND

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-247-3

取り付けスタイル：

スルーホール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1200 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.1 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

43 A

Pd-消費電力：

298 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

HGTG11N120CND

包装：

チューブ

連続コレクタ電流IcMax：

43 A

高さ：

20.82 mm

長さ：

15.87 mm

幅：

4.82 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

55 A

ゲートエミッタリーク電流：

+/- 250 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

450

サブカテゴリ：

IGBT

パーツ番号エイリアス：

HGTG11N120CND_NL

単位重量：

0.225401 oz

Tags

HGTG11N120CND, HGTG11N120C, HGTG11N12, HGTG11N1, HGTG11, HGTG1, HGTG, HGT