STQ2LN60K3-AP

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

600 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

12 nC

Pd-消費電力：

2.5 W

チャネルモード：

強化

商標名：

MDmesh

包装：

弾薬パック

シリーズ：

STQ2LN60K3-AP

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

21 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8.5 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

23.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

単位重量：

0.007760 oz

Tags

STQ2, STQ