SI4599DY-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

5.8 A, 6.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

35.5 mOhms, 45 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V, 1.4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

11.7 nC, 25 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3 W, 3.1 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

シリーズ：

SI4

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

幅：

3.9 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

14 S, 22 S

立ち下がり時間：

9 ns, 9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns, 12 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15 ns, 30 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns, 7 ns

パーツ番号エイリアス：

SI4599DY-GE3

単位重量：

0.019048 oz

Tags

SI4599, SI459, SI45, SI4