SPB18P06P G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PG-TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

18.7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

130 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

- 21 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

81.1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

SIPMOS

包装：

リール

高さ：

4.4 mm

長さ：

10 mm

シリーズ：

SPB18P06

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

9.25 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

5 S

立ち下がり時間：

11 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5.8 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

25 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

パーツ番号エイリアス：

SP000102181 SPB18P06PGATMA1 SPB18P6PGXT

単位重量：

0.139332 oz

Tags

SPB18P06PG, SPB18P, SPB18, SPB1, SPB