DMN2029USD-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

5.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

25 mOhms, 25 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

10.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

DMN2029

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

10 S

立ち下がり時間：

53.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10.4 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

119.3 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16.5 ns

単位重量：

0.002610 oz

Tags

DMN2029, DMN202, DMN20, DMN2, DMN